（原标题：新股消息 | 传英诺赛科最早今年赴港IPO 融资规模约3亿美元）
智通财经APP获悉，有消息称，内地氮化镓(GaN)芯片制造商英诺赛科据报正考虑最早今年来香港进行IPO，融资规模约3亿美元。报道指英诺赛科正与中金公司、招银国际就上市一事进行合作。
英诺赛科，于2015年12月，设计、开发和制造涵盖从低压到高压（30V-650V）面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率器件。目前，英诺赛科拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用最先进的8英寸生产工艺，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。英诺赛科8英寸硅基氮化镓的产能达到每月1.5万片，并将逐渐扩大至每月7万片以上。
据英诺赛科官网资料，其投资者包括招银国际、韩企SK集团、Arm、宁德时代等世界级投资方。
根据天眼查资料显示，英诺赛科其他投资者可能还包括东方国资、珠海高新投、华业天成资本、中平资本、国民创投、钛信资本、永刚集团、毅达资本、仕富资本、中天汇富、盛裕资本、富坤创投、高鹏资本、金地投资、东科半导体、赛领资本、兴湘集团、海富产业基金、海通创新证券、中国-比利时直接股权投资基金等。
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